MT46V256M4TG-6T:A TR 全國供應商、價格、PDF資料

MT46V256M4TG-6T:A TR詳細規格

類別：存儲器

描述：IC DDR SDRAM 1GBIT 6NS 66TSOP

系列：-

制造商：Micron Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：DDR SDRAM

存儲容量：1G（256M x 4）

速度：6ns

接口：并聯

電壓_電源：2.3 V ~ 2.7 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）

供應商器件封裝：66-TSOP

包裝：帶卷 (TR)

• MSP430F248TPM

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    64-LQFP    IC MCU 16BIT 48K FLASH 64-LQFP

• MT29F1G08ABBDAH4-IT:D

  存儲器    Micron Technology Inc    63-VFBGA    IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA

• TC164-JR-07180KL

  網絡、陣列    Yageo    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 180K OHM 4 RES 1206

• SUD50N03-06AP-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH D-S 30V TO252

• SMBJ28CA-E3/52

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AA，SMB    TVS BIDIRECT 600W 28V 5% SMB

• SMCJ14A-13-F

  TVS - 二極管    Diodes Inc    DO-214AB，SMC    TVS UNIDIRECT 1500W 14V SMC

• STT-105

  脈沖    Tamura    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    TRANSFORMER TRIGGER 5.0MH 1:1:1

• MSP430F2491TRGCT

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    64-VFQFN 裸露焊盤    IC MCU 16BIT 60K FLASH 64-QFN

• MT29F1G08ABBDAHC:D TR

  存儲器    Micron Technology Inc    63-VFBGA    IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA

• SUD50N04-8M8P-4GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

• STT2PF60L

  FET - 單    STMicroelectronics    SOT-23-6    MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6

• SMCJ14A-E3/57T

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AB，SMC    TVS UNIDIR 1.5KW 14V 5% SMC

• MSP430F249TRGCT

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    64-VFQFN 裸露焊盤    IC MCU 16BIT 60K FLASH 64-QFN

• MT29F1G08ABBDAHC:D TR

  存儲器    Micron Technology Inc    63-VFBGA    IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA

• SMBJ28HE3/52

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AA，SMB    TVS UNIDIR 600W 28V 10% SMB